特許

J-GLOBAL ID：201103083888536597

プラズマ処理装置用シリコンリング

発明者： 後藤 圭一 ,  川合 信 ,  田村 和義
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086210
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274142
特許番号：特許第3810248号
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 プラズマ処理装置内のウェーハを載置する電極側で、ウエーハの周辺に配置されるシリコンリングであって、前記シリコンリングが単結晶シリコンから成り、比抵抗が0.001〜50Ω・cmであり、且つ給電部が設けられ、自己発熱する機能を有することを特徴とするシリコンリング。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01) ,  B01J 19/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/302 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-171370   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-098924   出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
• ドライエツチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-302581   出願人：日電アネルバ株式会社