特許

J-GLOBAL ID：201103084277700495

電界効果トランジスタ

発明者： 伊藤 健治 ,  菊田 大悟 ,  上杉 勉 ,  杉本 雅裕
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-001717
公開番号（公開出願番号）：特開2011-142200
出願日： 2010年01月07日
公開日（公表日）： 2011年07月21日
要約：

【課題】 第1半導体層と第2半導体層とのヘテロ接合により第1半導体層に二次電子ガス層を生じさせつつ、ソース電極とドレイン電極との間の通電状態を切り換えるためのゲート電圧のしきい値を所定の値に調整することができる電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 電界効果トランジスタ10では、サファイア基板11上に、i型のGaNからなるGaN層13と、i型のGaNと格子定数が異なるi型のAlGaNからなるAlGaN層14と、i型のAlGaNよりもエッチングレートが小さいi型のAlInNからなるAlInN層15とが順に形成されている。AlInN層15の上端から途中まで伸びている溝25が形成されており、その溝25の底部の少なくとも一部にゲート電極26がショットキー接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1半導体からなる第1半導体層と、第1半導体と格子定数が異なる第2半導体からなる第2半導体層と、第2半導体よりもエッチングレートが小さい第3半導体からなる第3半導体層とが順に形成されており、 第3半導体層の上端から途中まで伸びている溝が形成されており、 その溝の底部の少なくとも一部にゲート電極が形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/80 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (3件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 V ,  H01L29/80 C

Fターム (23件)：

5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC01 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-286332   出願人：株式会社東芝
• 窒化物系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-252657   出願人：株式会社東芝
• ヘテロ接合型電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-353057   出願人：日本電信電話株式会社
• 窒化物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-157062   出願人：新日本無線株式会社