特許
J-GLOBAL ID：200903031733883314

窒化物系半導体装置

発明者：
蔵口 雅彦

蔵口 雅彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-252657
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067240
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】閾値電圧を容易に制御することができるとともに低いオン抵抗を有する窒化物系半導体装置を歩留まりよく提供すること。【解決手段】ノンドープのAlXGa1-XN(0≦X<1)からなるキャリア走行層1と、キャリア走行層1よりも格子定数の小さいノンドープまたはn型のAlYGa1-YN(0<Y≦1、X<Y)からなる障壁層2と、キャリア走行層1と格子定数の等しいノンドープの半導体からなる閾値制御層3と、キャリア走行層1よりも格子定数の小さいノンドープまたはn型の半導体からなるキャリア誘起層4とが順に積層され、ゲート電極形成領域におけるキャリア誘起層4の全部またはキャリア誘起層4の全部と閾値制御層3の一部を除去したリセス構造30中に形成したゲート電極5と、ゲート電極5を挟んだ障壁層2、閾値制御層3およびキャリア誘起層4のいずれかに形成されるソース電極6およびドレイン電極7と、を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ノンドープのAlxGa1-XN(0≦X<1)からなるキャリア走行層と、 前記キャリア走行層上に形成され、前記キャリア走行層よりも格子定数の小さいノンドープまたはn型のAlYGa1-YN(0<Y≦1、X<Y)からなる障壁層と、 前記障壁層上に形成され、前記キャリア走行層と格子定数の等しいノンドープの半導体からなる閾値制御層と、 前記閾値制御層上に形成され、前記キャリア走行層よりも格子定数の小さいノンドープまたはn型の半導体からなるキャリア誘起層と、 ゲート電極形成領域における前記キャリア誘起層の全部または前記キャリア誘起層の全部と前記閾値制御層の一部を除去したリセス構造中に形成したゲート電極と、 前記ゲート電極を挟んだ前記障壁層、前記閾値制御層および前記キャリア誘起層のいずれかに形成されるソース電極およびドレイン電極と、 を備えることを特徴とする窒化物系半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L29/80 Q ,  H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/78 301B
Fターム (34件)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F140AA30 ,  5F140BA09 ,  5F140BB04 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BF43
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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