特許
J-GLOBAL ID：200903062937727802
窒化物系半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-286332
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103617
出願日： 2006年10月20日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】閾値電圧を容易に制御することができると共に低いオン抵抗を有する窒化物系半導体装置を歩留まりよく提供する。【解決手段】ノンドープのAlXGa1-XN(0≦X<1)からなる第1窒化物系半導体層1と、第1窒化物系半導体層よりも格子定数の小さいノンドープまたはn型のAlYGa1-YN(0<Y≦1、X<Y)からなる第2窒化物系半導体層2と、第1窒化物系半導体層と格子定数の等しいノンドープまたはn型の第3窒化物系半導体層3と、InWAlZGa1-W-ZN(0<W≦1、0<Z<1)からなる第4窒化物系半導体層4と、ゲート電極形成領域において前記第3窒化物系半導体層に到達している底面を有するリセス構造30中に形成されたゲート電極5と、ゲート電極を挟んだ第2窒化物系半導体層、第3窒化物系半導体層および第4窒化物系半導体層のいずれかの位置に形成されるソース電極6、ドレイン電極7と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ノンドープのAlXGa1-XN(0≦X<1)からなる第1窒化物系半導体層と、
前記第1窒化物系半導体層上に形成され、前記第1窒化物系半導体層よりも格子定数の小さいノンドープまたはn型のAlYGa1-YN(0<Y≦1、X<Y)からなる第2窒化物系半導体層と、
前記第2窒化物系半導体層上に形成され、前記第1窒化物系半導体層と格子定数の等しいノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第3窒化物系半導体層と、
前記第3窒化物系半導体層上に形成され、InWAlZGa1-W-ZN(0<W≦1、0<Z<1)からなる第4窒化物系半導体層と、
ゲート電極形成領域において前記第3窒化物系半導体層に到達している底面を有するリセス構造中に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を挟んだ前記第2窒化物系半導体層、第3窒化物系半導体層および第4窒化物系半導体層のいずれかの位置に形成されるソース電極およびドレイン電極と、
を備えたことを特徴とする窒化物系半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
, H01L 29/41
, H01L 29/47
, H01L 29/872
, H01L 29/417
H01L29/80 H
, H01L29/44 Y
, H01L29/48 D
, H01L29/50 J
4M104AA04
, 4M104AA07
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104CC05
, 4M104DD08
, 4M104DD34
, 4M104DD68
, 4M104FF10
, 4M104FF27
, 4M104GG08
, 4M104GG12
, 4M104HH15
, 4M104HH20
, 5F102FA01
, 5F102FA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GD10
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM08
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102HC01
, 5F102HC11
, 5F102HC16
, 5F102HC19
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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