トランジスタおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明 , 箱崎幸雄 , 出口智也 , 山ノ井傑 , 木本大介 , 重野隆之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-054853
公開番号（公開出願番号）：特開2011-192667
出願日： 2010年03月11日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：

【課題】高い電流駆動力と高いカットオフ特性を備えたトランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係るトランジスタ100は、導体領域10aと表面に原子が結合した半導体領域10bとを有し、チャネルとして機能するグラフェン膜10と、グラフェン膜10上にゲート絶縁膜11を介して形成されたゲート電極12と、を有し、導体領域10aと半導体領域10bが形成するショットキー接合のトンネル電流をスイッチング動作に用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導体的性質を有する第1の領域と、前記第1の領域のドレイン側に隣接し、表面に原子が結合して半導体的性質を有する第2の領域とを有し、前記第1の領域と前記第2の領域がショットキー接合を形成する、チャネルとして機能するグラフェン膜と、前記グラフェン膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を有するトランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/66 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 21/28 , H01L 29/06

FI (9件)：

H01L29/66 T , H01L29/78 618B , H01L29/78 617M , H01L29/78 622 , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 310E , H01L21/28 301B , H01L29/06 601N

Fターム (41件)：

4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB07 , 4M104BB40 , 4M104DD04 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF01 , 4M104GG08 , 5F110AA06 , 5F110BB13 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG39 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110GG60 , 5F110HK02 , 5F110HK33 , 5F110HM02 , 5F110HM20 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN35

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-261775 出願人：富士通株式会社
半導体装置、半導体装置の製造方法およびトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-126441 出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る