特許
J-GLOBAL ID:201103084700608711
半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-008357
公開番号(公開出願番号):特開2011-172214
出願日: 2011年01月19日
公開日(公表日): 2011年09月01日
要約:
【課題】消費電力を抑えることができる半導体装置の提供を、目的の一とする。また、信頼性の高いプログラム素子を用いた半導体装置の提供を、目的の一とする。【解決手段】基本ブロック間の接続構造を変更するのに合わせて、基本ブロックへの電源電圧の供給の有無も変更する。すなわち、基本ブロック間の接続構造を変更することで回路構成に寄与しない基本ブロックが生じた場合に、当該基本ブロックへの電源電圧の供給を停止する。さらに、基本ブロックへの電源電圧の供給を、オフ電流またはリーク電流が極めて小さい酸化物半導体を用いた絶縁ゲート電界効果型トランジスタを用いたプログラム素子によって、制御する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体素子を用いた論理回路で構成されている複数の基本ブロックと、
前記複数の基本ブロック間の接続を制御する複数のプログラム素子と、を有し、
前記プログラム素子は、スイッチング素子として機能する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタが有するゲート電極への電位の供給を制御する第2のトランジスタと、を有し、
前記第2のトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有する半導体装置。
IPC (2件):
H03K 19/177
, H01L 29/786
FI (4件):
H03K19/177
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 613Z
, H01L29/78 618G
Fターム (91件):
5F110AA06
, 5F110AA09
, 5F110BB01
, 5F110BB03
, 5F110BB04
, 5F110BB11
, 5F110BB20
, 5F110CC02
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110EE15
, 5F110EE23
, 5F110EE30
, 5F110EE31
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG04
, 5F110GG06
, 5F110GG07
, 5F110GG12
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG35
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HL02
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HL07
, 5F110HL11
, 5F110HL12
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN12
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN72
, 5F110QQ02
, 5F110QQ06
, 5F110QQ19
, 5J042BA09
, 5J042BA10
, 5J042CA07
, 5J042CA20
, 5J042DA02
, 5J042DA04
, 5J042DA06
引用特許:
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