半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-156946
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014688
出願日： 2009年07月01日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：

【課題】半導体装置の製造において、シリコン窒化膜の含有水素量を低減してメモリ動作の長期信頼性が確保された製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、表面にシリコン窒化膜103が形成されたシリコン基板101aを収容した処理室内の圧力を大気圧よりも低くした状態で処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して、シリコン窒化膜103の一部を酸化する工程と、シリコン窒化膜103の酸化した部分104を除去する工程と、を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

表面にシリコン窒化膜が形成された基板を収容した処理室内の圧力を大気圧よりも低くした状態で前記処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して、前記シリコン窒化膜の一部を酸化する工程と、前記シリコン窒化膜の酸化した部分を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/318 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 27/115 , H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 21/283

FI (5件)：

H01L21/318 B , H01L21/90 K , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/283 B

Fターム (39件)：

4M104AA01 , 4M104EE12 , 4M104EE17 , 4M104GG16 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ74 , 5F033QQ76 , 5F033QQ78 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F058AH04 , 5F058BA11 , 5F058BC08 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BH03 , 5F058BH11 , 5F058BH12 , 5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP50 , 5F083ER21 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083JA04 , 5F083JA19 , 5F083PR05 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F101BA45 , 5F101BA46 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F101BH15

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-068141
窒化物及び酸窒化物膜の存在下で基板を酸化する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-577706 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
特開平3-068141

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