特許

J-GLOBAL ID：201103086394175884

半導体装置とその製造方法

発明者： 守田 俊章 ,  保田 雄亮 ,  井出 英一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (2件)： 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-154522
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014556
出願日： 2009年06月30日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：

【課題】本発明は、半導体素子と、金属粒子を接合の主剤とする接合材との接合部の接合性を向上することを目的とする。【解決手段】Si、あるいはSi系材料で構成した半導体素子が金属配線上に搭載された半導体装置であって、半導体素子は銀系接合材で金属配線上に搭載され、かつ半導体素子は半導体素子表面に形成したSi系酸化物膜を介して銀系接合材と接合していることを特徴とする。平均粒径が1nm〜50μmの金属酸化物粒子と有機物からなる還元剤とを含む接合材料により、大気雰囲気中において接合を行うことで半導体基体表面に形成した酸化物に対して優れた接合強度が得ることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Si、あるいはSi系材料で構成した半導体素子が金属配線上に搭載された半導体装置であって、半導体素子は銀系接合材で金属配線上に搭載され、かつ半導体素子は半導体素子表面に形成したSi系酸化物膜を介して銀系接合材と接合していることを特徴とした半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  B23K 35/22

FI (2件)：

H01L21/52 E ,  B23K35/22 310Z

Fターム (6件)：

5F047AA11 ,  5F047AA17 ,  5F047BA52 ,  5F047BA53 ,  5F047BB16 ,  5F047BC37

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 金属粒子を用いた接合方法及び接合材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-335517   出願人：株式会社日立製作所
• 固体撮像装置及びその製造方法並びにその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-298551   出願人：富士フイルム株式会社
• 磁気センサとその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-032565   出願人：ヤマハ株式会社, 株式会社デンソー
• 特開昭56-150830