特許
J-GLOBAL ID：201103086402654410

アルミニウムドープゲートを備えるプログラマブルIII-窒化物トランジスタ

発明者：
マイケル エイ ブリエール

マイケル エイ ブリエール について


出願人/特許権者：
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション

インターナショナル レクティフィアー コーポレイション について


代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  大倉 昭人 ,  吉澤 雄郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-056226
公開番号（公開出願番号）：特開2011-199286
出願日： 2011年03月15日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】アルミニウムドープゲートを有するプログラマブルIII-窒化物トランジスタを提供する。【解決手段】第1のIII-窒化物材料104と第2のIII-窒化物材料106との界面に形成される2次元電子ガスを有する導電チャネルを含むIII-窒化物ヘテロ接合デバイスにおいて、ゲート接点140の下に形成されるゲート絶縁層112が導電チャネルの上方に配置され、接点絶縁層112は界面における2次元電子ガスの形成を変更する。接点絶縁層112はAlSiN又はアルミニウムがドープされたSiNとすることができる。接点絶縁層112はIII-窒化物ヘテロ接合デバイス160の閾値電圧をプログラミングしてデバイスをエンハンストモードデバイスにする。【選択図】図1b
請求項（抜粋）：
第1のIII-窒化物材料と第2のIII-窒化物材料との界面に形成される2次元電子ガスを含む導電チャネル、及び 前記導電チャネルの上方に配置された接点絶縁層を含む変更手段を備え、前記接点絶縁層は前記界面における前記2次元電子ガスの形成を変更するためにアルミニウムを含む、 III-窒化物ヘテロ接合デバイス。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618E
Fターム (41件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102GS04 ,  5F102HC15 ,  5F110AA08 ,  5F110BB12 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE22 ,  5F110FF01 ,  5F110FF12 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG32 ,  5F110GG36 ,  5F110GG52 ,  5F110GG53 ,  5F140AA06 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD04 ,  5F140BD17 ,  5F140BF42 ,  5F140BF44 ,  5F140CD01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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