窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：松下亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-311782
公開番号（公開出願番号）：特開2008-130672
出願日： 2006年11月17日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：

【課題】ノーマリオフ動作を達成でき、充分なチャンネル電流を得ることができ、かつしきい値電圧の制御が容易な窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】負の電荷を有する第三の層である浮遊ゲート層(32)が制御ゲート電極(34)とAlGaN 層(11)との間に設けられているので、実質的に浮遊ゲート層(32)に隣接するAlGaN 層(11)の電子に対するポテンシャルを実質的に高くし、チャンネルを空乏化する。これにより、ゲート電圧がゼロの時チャンネルに電流(ドレイン電流)を流れなくする、即ちいわゆるノーマリオフ動作を達成することが出来る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物系半導体のヘテロ接合界面をチャンネルとする窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、制御ゲート電極と窒化物系半導体の間に、負の電荷を有する第三の層を有することを特徴とする窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ。

IPC (9件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/786 , H01L 29/78 , H01L 29/80 , H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 301B , H01L29/78 301H , H01L29/80 W , H01L29/78 371

Fターム (42件)：

5F101BA01 , 5F101BB02 , 5F101BD30 , 5F101BH02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F110AA08 , 5F110AA30 , 5F110DD04 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE27 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F140AA00 , 5F140AA04 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BB18 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD17 , 5F140BE10 , 5F140BF41

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界効果半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-034946 出願人：サンケン電気株式会社
ヘテロ構造電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-225449 出願人：日本電信電話株式会社
半導体記憶装置およびその書き込み、読み出し方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347699 出願人：富士通株式会社

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