特許

J-GLOBAL ID：201103086689219530

エラー訂正回数を記録する記憶装置

発明者： 片山 国弘 ,  田村 隆之 ,  城野 雄介 ,  金森 賢樹 ,  四方 淳史
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 三品 岩男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-525530
特許番号：特許第3937214号
出願日： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 データを格納する半導体メモリと、 前記メモリからデータを読み出す手段と、 データのブロック毎に前記読み出したデータのエラーを検出して訂正するエラー検出訂正手段と、 ブロック毎に、当該ブロックに対して行ったエラー訂正の回数を記録する手段と、 前記エラー訂正手段によってブロックのエラーが訂正された場合に、当該ブロック内で一度に発生したエラーの数であるエラー発生数が、予め定められた閾値未満ならば、エラーが訂正されたブロックを当該ブロックが書き込まれていた前記メモリ内の領域に書き込み、 前記エラー発生数が前記閾値以上ならば、エラーが訂正されたブロックを当該ブロックが書き込まれていた前記メモリ内の領域とは異なる領域に書き込む書込手段と を備え、 前記書込手段は、 前記エラー訂正手段によってエラーが訂正されたブロックのエラー訂正回数が多い場合には、前記エラー訂正手段によってエラーが訂正されたブロックのエラー訂正回数が少ない場合よりも、前記閾値を低く設定すること を特徴とする記憶装置。

IPC (3件)：

G06F 12/16 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01) ,  G11C 29/04 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G06F 12/16 320 M ,  G06F 12/16 330 C ,  G11C 17/00 639 C ,  G11C 29/00 601 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• フラッシュ・メモリを有する情報処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-125052   出願人：株式会社日立インフォメーションテクノロジー
• 画像メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-175603   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体記憶装置およびその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-211726   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体ディスク装置におけるメモリ障害減少化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-217739   出願人：富士通株式会社