特許
J-GLOBAL ID：201103086793299996
半導体基板の製造方法及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-216253
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031496
特許番号：特許第4637410号
出願日： 2001年07月17日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁性基板上に非晶質半導体膜を形成し、絶縁性基板およびレーザ照射手段の少なくとも一方を一方向に移動させながら前記非晶質半導体膜の前記絶縁性基板とは反対面の一部にレーザ光をパルス照射し、前記非晶質半導体膜の前記レーザ光を照射した部分を前記移動方向に順次結晶化させて前記移動方向に沿った筋状の多結晶である第1の結晶化領域とした後、第1の結晶化領域内を照射開始位置として、絶縁性基板およびレーザ照射手段の少なくとも一方を前記移動方向に対して略垂直方向に移動させながら第1の結晶化領域を含む前記非晶質半導体膜にレーザ光をパルス照射して、既に結晶化した第1の結晶化領域の結晶性を反映させながら該移動方向に結晶を成長させ、第1の結晶化領域を形成するためのレーザ光及び前記第1の結晶化領域内を照射開始位置とするレーザ光の照射領域を、前記レーザ照射手段の相対的移動方向に短く、前記移動方向に垂直な方向に長い長方形としたことを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 21/20
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 627 G
