半導体薄膜製造方法、半導体薄膜製造装置、およびマトリクス回路駆動装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245833
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057105
出願日： 2000年08月14日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】粒界のない大粒径の結晶粒が広い領域にわたって形成された半導体薄膜を提供する。【解決手段】ビームを半導体薄膜に照射する工程と、ビームの照射位置を前記半導体薄膜に対して相対的に走査させる工程とにより前記半導体薄膜に対して第1の改質を行った後、ビームを半導体薄膜に照射する工程と、ビームの照射位置を、第1の改質における走査方向とは異なる方向に前記半導体薄膜に対して相対的に走査させる工程とにより前記半導体薄膜に対して第2の改質を行い、結晶化領域を形成する。

請求項（抜粋）：

ビームを半導体薄膜に照射する工程と、ビームの照射位置を前記半導体薄膜に対して相対的に走査させる工程とにより前記半導体薄膜に対して第1の改質を行った後、ビームを半導体薄膜に照射する工程と、ビームの照射位置を、第1の改質における走査方向とは異なる方向に前記半導体薄膜に対して相対的に走査させる工程とにより前記半導体薄膜に対して第2の改質を行い、結晶化領域を形成することを特徴とする半導体薄膜製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 G , H01L 29/78 627 G

Fターム (21件)：

5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BA08 , 5F052BA12 , 5F052BA18 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052JA01 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06

引用特許：

審査官引用 (15件)

半導体デバイスのレーザー処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-066592 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
非単結晶薄膜のレーザー結晶化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-151365 出願人：松下電器産業株式会社
走査露光方法および走査型露光装置ならびにデバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-205446 出願人：株式会社ニコン

全件表示

前のページに戻る