特許
J-GLOBAL ID：201103086797186681
マスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287019
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100452
特許番号：特許第3775493号
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶基板においてミラー指数の{110}で表される表面に、各辺が{111}で表されるグループの面のうちいずれかの面に平行に位置する多角形をなす複数の開口が形成された耐エッチング膜を形成すること、
前記単結晶基板の前記開口内にエネルギービームによって小貫通孔を形成すること、及び、
前記小貫通孔をエッチングによって拡大して、前記単結晶基板に複数の貫通穴を形成すること、
を含み、
前記エッチングは、{111}面に対するエッチング速度が、{100}面及び{110}面に対するエッチング速度よりも遅いという結晶の面方位依存性があるマスクの製造方法。
IPC (4件)：
H05B 33/10 ( 200 6.01)
, H05B 33/12 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, C23C 14/04 ( 200 6.01)
H05B 33/10
, H05B 33/12 B
, H05B 33/14 A
, C23C 14/04 A
