特許
J-GLOBAL ID：201103087976416610

半導体発光素子の製造方法

発明者：
吉江 睦之

吉江 睦之 について

, 
林 伸彦

林 伸彦 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046151
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244071
特許番号：特許第4357022号
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 発光層を含みかつインジウム、ガリウム、アルミニウムおよびホウ素の少なくも1つを含む第1の窒化物系半導体層を形成する工程と、 前記第1の窒化物系半導体層に共振器方向に延びるリッジ部を形成する工程と、 前記リッジ部の上面の前記共振器方向に延びるストライプ状領域が露出するように、前記第1の窒化物系半導体層上にSiO2またはSi3N4からなる電流狭窄層を形成する工程と、 前記ストライプ状領域を前記第1の窒化物系半導体層の表面から一定深さまでをエッチングしてストライプ状凹部を形成することにより、前記ストライプ状凹部内で前記第1の窒化物系半導体層の表面準位を除去する工程と、 前記電流狭窄層上および前記ストライプ状凹部内の前記第1の窒化物系半導体層上にインジウム、ガリウム、アルミニウムおよびホウ素の少なくとも1つを含む第2の窒化物系半導体層を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/30 ( 200 6.01) ,  H01L 33/00 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01S 5/30 ,  H01L 33/00 100
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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