特許
J-GLOBAL ID：201103088149572951
赤外線センサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100402
公開番号（公開出願番号）：特開2002-296106
特許番号：特許第3589997号
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に、入射赤外線光を吸収し熱に変換するための赤外線吸収部と、この赤外線吸収部で発生した熱による温度変化を電気信号に変換するための熱電変換部とを形成してなる赤外線検出画素を、二次元的に配列してなり、前記赤外線検出画素は、前記赤外線検出部と前記熱電変換部とを前記半導体基板内部に形成される中空構造上に支持するための少なくとも一つ以上の支持構造とを備え、この支持構造には、前記赤外線検出部からの信号を読み出すための支持配線が含まれており、前記赤外線検出画素からの信号を読み出すための、前記赤外線検出画素を選択する画素選択手段と、この画素選択手段により選択された前記赤外線検出画素からの信号を読み出すための画素信号読み出し手段と、この読み出し手段により読み出された前記赤外線検出画素からの信号を出力するための出力手段と、を有する赤外線センサであって、前記画素選択手段と、前記読み出し手段と、前記出力手段とを含む周辺回路は、メタルダマシンゲートを有するMOSトランジスタを含むものであり、前記支持配線が、前記周辺回路におけるMOSトランジスタのメタルダマシンゲートと同層で形成されたメタルダマシン配線であることを特徴とする赤外線センサ。
IPC (7件)：
G01J 1/02
, G01J 5/20
, H01L 21/28
, H01L 27/14
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 29/786
G01J 1/02 B
, G01J 5/20
, H01L 21/28 301 R
, H01L 27/14 K
, H01L 29/58 G
, H01L 29/78 613 Z
