特許

J-GLOBAL ID：201103088218370266

半導体メモリ装置及びそのテストモード時の読出方法

発明者： 蘇 秉 世 ,  蘇 秦 鎬
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-132724
公開番号（公開出願番号）：特開2001-006395
特許番号：特許第3657498号
出願日： 2000年05月01日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】メモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読出された複数個の出力データを比較する比較器と、複数個の出力ピンと、前記複数個の出力ピンのうちの1つをプログラマブルに選択する出力ピン指定手段とを具備し、テストモード時には前記比較器の出力のみが前記出力ピン指定手段により指定された出力ピンを介して出力されることを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (5件)：

G11C 29/00 ,  G01R 31/28 ,  G01R 31/3185 ,  G06F 12/16 ,  G11C 11/401

FI (4件)：

G11C 29/00 671 Q ,  G06F 12/16 330 A ,  G01R 31/28 W ,  G11C 11/34 371 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-227723   出願人：日本電気株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-009121   出願人：日本電気株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-003502   出願人：富士通株式会社