特許
J-GLOBAL ID：201103089497075887
半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法およびエッチング代検出方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
波多野 久
, 関口 俊三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-048791
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252251
特許番号：特許第4128687号
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体ウェーハの表面処理後に行う洗浄工程の清浄度を管理する半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法において、前記清浄度管理は半導体ウェーハ表面に存在するマイクロクラックを観察して行ない、
このマイクロクラックの観察は、マイクロクラックの溝幅を測定して行ない、
このマイクロクラックの溝幅の測定は、0.1〜2.0μmの範囲で溝幅を測定することを特徴とする半導体ウェーハ表面の清浄度管理方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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