特許
J-GLOBAL ID：201103090038850906
半導体ウェハ保護方法及び該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
苗村 新一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-372232
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246345
特許番号：特許第3594581号
出願日： 2001年12月06日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体ウェハの回路形成面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、半導体ウェハの回路非形成面を加工して薄層化する第二工程、及び半導体ウェハの回路非形成面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する第三工程、更に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する工程及び半導体ウェハを分割切断するダイシング工程を順次実施する工程を含む半導体ウェハ保護方法であって、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに第三工程を実施し、且つ、融点が200°C以上の樹脂から形成された厚みが10〜300μmである層を少なくとも一層有し、該層の貯蔵弾性率[(G)MPa]と厚み[(D)μm]との比が、0〜100°Cにおいて下記数式(1)、100〜300°Cにおいて下記数式(2)3≦G/D≦10000 ・・・(1)0.03≦G/D≦1000・・・(2)の関係をそれぞれ満たす基材フィルムの片表面に、150°Cにおける貯蔵弾性率が少なくとも1×105Pa、厚みが3〜100μmである粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを使用することを特徴とする半導体ウェハ保護方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304
, C09J 7/02
, H01L 21/306
, C09J 133/02
, C09J 133/06
H01L 21/304 622 J
, C09J 7/02 Z
, H01L 21/306 B
, C09J 133/02
, C09J 133/06
