半導体受光装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-301489
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064217
特許番号：特許第3652977号
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた受光層と、前記受光層の一部に形成された第2の導電型の領域と、前記受光層に対して、前記第2の導電型の領域を介して厚さ方向に電界を印加する電極手段とを備え、前記受光層は、圧縮歪を蓄積し、所定波長の光を吸収する第1の半導体層と、引っ張り歪を蓄積し、前記第1の半導体層よりも薄い第2の半導体層とを含み、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは、前記受光層中において交互に繰り返され、前記第1の半導体層は、50nm以上の厚さを有することを特徴とする半導体受光装置。

IPC (3件)：