特許

J-GLOBAL ID：201103090704831768

透明電極付き基板の製造方法

発明者： 藤本 貴久 ,  上田 拓明 ,  近藤 晃三 ,  口山 崇 ,  山本 憲治
出願人/特許権者： 株式会社カネカ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-048184
公開番号（公開出願番号）：特開2011-183567
出願日： 2010年03月04日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】これまでの透明電極付き基板では、表面粗さは基板に依存しており、その上に形成される下地層や透明電極層では表面粗さを制御できず、この為、ミクロンオーダー以下の凹凸の制御ができず、光学設計にも限界があった。【解決手段】下地層として、一部または全部が粒子状の酸化ケイ素からなる層を用いることで、ナノレベルの凹凸の制御および屈折率の制御が可能となり、結果として透明電極付き基板の光学特性を大きく向上することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、一部または全部が粒子状の酸化ケイ素を主成分とする下地層、酸化インジウムまたは酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を含む透明電極層がこの順に形成された透明電極付き基板であって、当該下地層の算術平均粗さ(Ra)が4nm以上10nm以下であり、かつ屈折率が1.34〜1.60の範囲であることを特徴とする透明電極付き基板。

IPC (4件)：

B32B 9/00 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 ,  C23C 14/10

FI (4件)：

B32B9/00 A ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  C23C14/10

Fターム (36件)：

4F100AA17C ,  4F100AA20B ,  4F100AA25C ,  4F100AA37D ,  4F100AK03 ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10D ,  4F100DD01B ,  4F100DD07B ,  4F100EH66B ,  4F100GB41 ,  4F100JG01C ,  4F100JN01C ,  4F100JN18B ,  4F100YY00B ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA46 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029EA09 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FB03 ,  5G307FC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BA05 ,  5G323BB05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 透明電極付き基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-253333   出願人：株式会社カネカ
• 透明導電膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-029941   出願人：株式会社カネカ
• 透明導電膜付き基板および透明導電膜付き基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-053906   出願人：株式会社カネカ