特許
J-GLOBAL ID:201103090756133716
半導体ウェハの洗浄液を回収する方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
古谷 栄男
, 松下 正
, 眞島 宏明
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-030839
公開番号(公開出願番号):特開2000-228386
特許番号:特許第4136156号
出願日: 1999年02月09日
公開日(公表日): 2000年08月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1の洗浄液を有する洗浄槽に半導体ウェハを浸し、
前記洗浄槽の温度を当該洗浄槽内の水分が蒸発させることができる温度とし、
前記洗浄槽に第2の洗浄液を混合し、
半導体ウェハを洗浄した後、第1の洗浄液および第2の洗浄液を有する廃液を分離槽へ送出し、
前記分離槽において、
当該分離槽の上部から前記廃液を収受し、
収受した廃液から水分を圧力を利用して蒸発させ、
蒸発させた水分を分離槽上部に設けられた水分排出口から排出し、
水分を分離した後の廃液を当該分離槽の下部から前記洗浄槽へ送出する半導体ウェハの洗浄液を回収する方法であって、
前記収受した廃液から水分を圧力を利用して蒸発させる際には、前記廃液を加圧して当該廃液から水分を水蒸気として蒸発させること、
を特徴とする半導体ウェハの洗浄液を回収する方法。
IPC (5件):
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, B08B 3/08 ( 200 6.01)
, C02F 1/04 ( 200 6.01)
, C02F 1/40 ( 200 6.01)
, C02F 1/44 ( 200 6.01)
FI (6件):
H01L 21/304 648 F
, H01L 21/304 648 G
, B08B 3/08 B
, C02F 1/04 C
, C02F 1/40 Z
, C02F 1/44 F
引用特許:
出願人引用 (6件)
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-086728
出願人:日本電気株式会社
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特開平4-348029
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特開昭62-117330
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審査官引用 (8件)
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-086728
出願人:日本電気株式会社
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特開平4-348029
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レジスト剥離液管理方法及びレジスト剥離装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-236651
出願人:富士通株式会社
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特開平4-348029
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特開昭62-117330
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特開昭62-117330
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加熱乾燥装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-187027
出願人:オリンパス光学工業株式会社
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基板表面処理方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-122829
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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