特許
J-GLOBAL ID：201103090938895891
研磨剤および研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人小田島特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003889
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208451
特許番号：特許第4257687号
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 平均一次粒子径が60-300nmであり、かつ屈折率が1.41-1.44であって、K値が5×10-6mol/m2以上であり、Na元素の含有量が1ppm以下である球状のシリカ粒子を水に分散したことを特徴とする半導体基板上のスクラッチ数を低減させるための研磨剤。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, B24B 37/00 ( 200 6.01)
H01L 21/304 622 B
, B24B 37/00 H
