特許
J-GLOBAL ID:201103091028154967

基板処理装置および基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 振角 正一 ,  梁瀬 右司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-222344
公開番号(公開出願番号):特開2011-071401
出願日: 2009年09月28日
公開日(公表日): 2011年04月07日
要約:
【課題】基板表面上の液膜を蒸発乾燥させることなく当該液膜を薄膜化する。【解決手段】リンス工程においてDIW供給部から低温DIWを基板表面に供給して基板および液膜の温度が雰囲気の露点以下に調整し、基板表面上に形成された液膜を薄膜化する間(薄膜形成工程)、液膜および基板の温度が雰囲気の露点以下となっているため、基板表面上の液膜が蒸発乾燥することなく当該液膜を所望の厚さに薄膜化することができる。凍結工程を実行する際に冷却高湿度窒素ガスを凍結用冷媒として用いているが、単にDIWの凝固点よりも低い温度まで冷やされた冷却ガスを用いるのではなく、水蒸気を飽和した高湿度状態のものを用いることで冷却高湿度窒素ガスの露点を凍結膜の温度とほぼ同一温度に調整している。したがって、液膜の薄膜化から凍結膜の形成に切り替わる際、凍結前の液膜が蒸発乾燥するのを防止することができる。【選択図】図4
請求項(抜粋):
表面に液膜が形成された基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された前記基板を回転させて前記基板の表面上に形成された前記液膜を薄膜化する基板回転手段と、 前記液膜が形成された前記基板の表面に接する雰囲気の露点と、前記液膜および前記基板の温度との少なくとも一方を調整する調整手段と、 前記基板の表面上の液膜を凍結させて凍結膜を形成する凍結手段とを備え、 前記調整手段は、前記基板回転手段により前記液膜を薄膜化する間、前記液膜および前記基板の温度が前記雰囲気の露点以下となるように、調整することを特徴とする基板処理装置。
IPC (1件):
H01L 21/304
FI (2件):
H01L21/304 651Z ,  H01L21/304 651B
Fターム (29件):
5F157AB02 ,  5F157AB13 ,  5F157AB14 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC03 ,  5F157AC24 ,  5F157BB22 ,  5F157BB44 ,  5F157BB66 ,  5F157BH19 ,  5F157CA22 ,  5F157CA25 ,  5F157CB03 ,  5F157CB04 ,  5F157CB11 ,  5F157CB15 ,  5F157CB28 ,  5F157CE07 ,  5F157CE10 ,  5F157CE43 ,  5F157CE55 ,  5F157CE59 ,  5F157CE66 ,  5F157CF22 ,  5F157CF36 ,  5F157CF38 ,  5F157DB34 ,  5F157DB45
引用特許:
審査官引用 (3件)

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