特許
J-GLOBAL ID：201103091374649859
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大森 純一
, 折居 章
, 飯阪 泰雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-027925
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231856
特許番号：特許第4626063号
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の金属突起物が配列形成される回路面を有する半導体チップ、又は前記半導体チップの集合体であるウェーハを用意する工程と、
離型体の一表面に形成される所定の凹状パターン内へ導電ペーストを充填する工程と、
前記離型体の凹状パターン内に充填された導電ペースト内へ前記金属突起物を埋入した後、前記半導体チップを前記離型体の表面から剥がして、前記導電ペーストを前記回路面へ転写して導電ペースト体を形成する転写工程と、
前記回路面に対し、前記導電ペースト体の頂部と同一又はこれよりも低く封止樹脂を形成する樹脂封止工程とを有する
半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 23/14 ( 200 6.01)
H01L 23/12 501 P
, H01L 23/14 M
