特許
J-GLOBAL ID：200903032624122598
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-359229
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183094
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 突起電極に対するバンプの接合強度に優れ、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 電極22が形成された半導体素子20面に形成された絶縁膜23上に半導体素子20の電極22と接続する配線パターン28が形成され、該配線パターン28に突起電極32が形成され、配線パターン28が保護膜36によって覆われ、保護膜36から露出した突起電極32の端部に外部接続用のバンプ38が形成された半導体装置において、突起電極32の少なくとも端面全体に亙って接合してバンプ38が形成されていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
電極が形成された半導体素子面に形成された絶縁膜上に該半導体素子の電極と接続する配線パターンが形成され、該配線パターンに突起電極が形成され、前記配線パターンが保護膜によって覆われ、前記保護膜から露出した突起電極の端部に外部接続用のバンプが形成された半導体装置において、前記突起電極の少なくとも端面全体に亙って接合して前記バンプが形成されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/92 602 D
, H01L 21/92 604 B
