特許
J-GLOBAL ID：201103091405336552

膜厚の決定方法、半導体装置の作製方法、半導体装置

発明者：
本田 達也

本田 達也 について

, 
南木 集

南木 集 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-181206
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035223
出願日： 2009年08月04日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：
【課題】光電変換層のキャリア生成効率を上昇させることを目的とする。【解決手段】光電変換層を複数種類の半導体を積層した構造とすることによって、広い波長範囲に渡って光を吸収することができるので、キャリア生成効率を上昇させることができる。さらに、複数種類の半導体を積層した光電変換層は膜厚比を最適化することによってキャリア生成効率を向上させることができる。具体的には、吸収係数を求め、透過光の強度式に代入し、透過光の積分強度が最小となる膜厚比を決定し、その膜厚比を膜厚となるように上記複数種類の半導体を成膜すればよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
バンドギャップの異なる第1乃至第nの半導体層(但し、nは2以上の自然数)からなる光電変換層の膜厚の決定方法であって、 前記第1乃至第nの半導体層について、それぞれの吸収係数α1〜αnを取得する第1のステップと、 前記第1のステップで取得した前記吸収係数α1〜αnを下記式に代入した関係式を得る第2のステップと、
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 29/786
FI (3件)：
H01L31/10 A ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618E
Fターム (63件)：
5F049MA15 ,  5F049MB01 ,  5F049MB03 ,  5F049MB04 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049PA14 ,  5F049PA20 ,  5F049QA09 ,  5F049QA19 ,  5F049RA06 ,  5F049SE02 ,  5F049SE09 ,  5F049SE12 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051AA10 ,  5F051BA11 ,  5F051DA12 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110QQ17 ,  5F151AA03 ,  5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151AA10 ,  5F151BA11 ,  5F151DA12
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (10件)
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