高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190647
公開番号（公開出願番号）：特開2003-002925
特許番号：特許第3891257号
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下記一般式(1a)、(1b)及び(1c)の繰り返し単位を含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。 (式中、R1、R2、R5〜R7、R10〜R12は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R3はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R4及びR8は水素原子又は酸不安定基を表す。R9及びR14はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R13は-C(CF3)2-O-R15であり、R15は水素原子又は酸不安定基を表す。また、上記式(1a)の繰り返し単位の含有割合をa、上記式(1b)の繰り返し単位の含有割合をb、上記式(1c)の繰り返し単位の含有割合をcとし、a+b+c=1とすると、0<a<1、0<b<1、0<c<1の範囲である。dは1〜4の整数である。eは1又は2、fは0〜4の整数であり、1≦e+f≦5である。但し、R4、R8、R15の酸不安定基は、下記一般式(2)〜(4)で示される基から選ばれる。 (式(2)において、R17は炭素数4〜20の三級アルキル基を示し、hは0〜10の整数である。式(3)において、R18、R19は水素原子又は炭素数1〜18の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R20は炭素数1〜20のヘテロ原子を含んでもよい一価炭化水素基を示す。R18とR19、R18とR20、R19とR20は互いに結合して環を形成してもよく、この場合には、R18〜R20は炭素数1〜18のヘテロ原子を含んでもよいアルキレン基である。式(4)において、R21〜R23は炭素数1〜18の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示す。R21とR22、R21とR23、R22とR23はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。))

IPC (7件)：

C08F 212/14 ( 200 6.01) , C08F 220/04 ( 200 6.01) , C08F 220/22 ( 200 6.01) , G03F 7/004 ( 200 6.01) , G03F 7/039 ( 200 6.01) , G03F 7/38 ( 200 6.01) , H01L 21/027 ( 200 6.01)

FI (7件)：

C08F 212/14 , C08F 220/04 , C08F 220/22 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 501 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-375504 出願人：信越化学工業株式会社
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-346959 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-346870 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社

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