特許
J-GLOBAL ID：200903080960604643
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-346870
公開番号（公開出願番号）：特開2002-220418
出願日： 2001年11月13日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位と、カルボン酸の水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位とを含む高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>はH、F、アルキル又はフッ素化されたアルキル、0<d+e<5、0<g+h<5、a、bは0又は正数であるが、同時に0にはならない。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には190nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、カルボン酸の水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位とを含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は同一又は異種の水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。0≦d<5、0≦e≦5、0<f<5、0≦g≦5、0≦h≦5の範囲であり、0<d+e<5、0<g+h<5である。a、bは0又は正数であるが、同時に0にはならない。)
IPC (7件)：
C08F212/14
, C08F220/10
, C08F222/40
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, G03F 7/38
, H01L 21/027
C08F212/14
, C08F220/10
, C08F222/40
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, G03F 7/38
, H01L 21/30 502 R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA01
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096BA20
, 2H096DA01
, 2H096EA03
, 2H096EA04
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 2H096JA02
, 2H096JA03
, 4J100AB07P
, 4J100AL03Q
, 4J100AL08Q
, 4J100AL62Q
, 4J100AM35Q
, 4J100BA03P
, 4J100BA20Q
, 4J100BB07P
, 4J100BB18P
, 4J100BC03Q
, 4J100CA04
, 4J100JA38
