特許
J-GLOBAL ID：201103091819789303

センサ、方法、および半導体センサ

発明者：
チェン・ジ-イェン

チェン・ジ-イェン について

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ジェイムズ・ジィ・フィオレンツァ

ジェイムズ・ジィ・フィオレンツァ について

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カルバン・シーン

カルバン・シーン について

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アンソニー・ジェイ・ロクテフェルド

アンソニー・ジェイ・ロクテフェルド について


出願人/特許権者：
台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司

台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-066291
公開番号（公開出願番号）：特開2011-091354
出願日： 2010年03月23日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：
【課題】アスペクト比トラッピング材料を用いて、非シリコンベースの半導体デバイスをシリコン製造プロセスに統合する。【解決手段】結晶材料の少なくとも一部にある非シリコン光センスデバイスは、内部の光吸収によって生成された電子を出力することができる。例示的な光センスデバイスは、比較的大きいミクロン寸法を有し得る。例示的な応用例として、アスペクト比トラッピング技術を用いることによって、相補型金属酸化膜半導体光検出器がシリコン基板上に形成される。【選択図】図1a
請求項（抜粋）：
結合部で連結した第1のエピタキシャル結晶構造および第2のエピタキシャル結晶構造を有する基板と、 前記結合部上、または結合部内に形成され、内部の光吸収によって生成された電子を出力するセンス領域と、 前記電子を受けて、出力電気信号を得るように結合されるコンタクトとを備える、センサ。
IPC (3件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/14
FI (3件)：
H01L31/10 A ,  H01L27/14 A ,  H01L27/14 K
Fターム (24件)：
4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118CB03 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA28 ,  4M118GA10 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MB02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA18 ,  5F049NA20 ,  5F049NB03 ,  5F049QA01 ,  5F049QA20 ,  5F049RA04 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049WA01 ,  5F049WA05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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