センサ、方法、および半導体センサ

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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 酒井將行 , 荒川伸夫 , 佐々木眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-066291
公開番号（公開出願番号）：特開2011-091354
出願日： 2010年03月23日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：

【課題】アスペクト比トラッピング材料を用いて、非シリコンベースの半導体デバイスをシリコン製造プロセスに統合する。【解決手段】結晶材料の少なくとも一部にある非シリコン光センスデバイスは、内部の光吸収によって生成された電子を出力することができる。例示的な光センスデバイスは、比較的大きいミクロン寸法を有し得る。例示的な応用例として、アスペクト比トラッピング技術を用いることによって、相補型金属酸化膜半導体光検出器がシリコン基板上に形成される。【選択図】図1a

請求項（抜粋）：

結合部で連結した第1のエピタキシャル結晶構造および第2のエピタキシャル結晶構造を有する基板と、前記結合部上、または結合部内に形成され、内部の光吸収によって生成された電子を出力するセンス領域と、前記電子を受けて、出力電気信号を得るように結合されるコンタクトとを備える、センサ。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , H01L 27/146 , H01L 27/14

FI (3件)：

H01L31/10 A , H01L27/14 A , H01L27/14 K

Fターム (24件)：

4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA05 , 4M118CB01 , 4M118CB02 , 4M118CB03 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118FA28 , 4M118GA10 , 5F049MA02 , 5F049MA04 , 5F049MB02 , 5F049MB07 , 5F049NA18 , 5F049NA20 , 5F049NB03 , 5F049QA01 , 5F049QA20 , 5F049RA04 , 5F049RA06 , 5F049SS03 , 5F049WA01 , 5F049WA05

引用特許：

審査官引用 (5件)

転位欠陥密度の低い格子不整合半導体構造およびこれに関連するデバイス製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-512484 出願人：アンバーウェーブシステムズコーポレイション
特開平4-315419
窒化物半導体素子及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-090893 出願人：ソニー株式会社

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