半導体装置、そのリフレッシュ方法、メモリシステムおよび電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-103416
公開番号（公開出願番号）：特開2002-298575
特許番号：特許第3624849号
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のブロックに分割されたメモリセルアレイを有する半導体装置のリフレッシュ方法であって、アドレス信号により指定されたあるアドレスをもとにして、パルスによりアドレスを発生させることにより、前記複数のブロックのうち外部アクセスすべきブロックに対して、データを連続して読み出しまたは書き込む、外部アクセスステップと、前記パルスよりも周期が長く、かつ、前記アドレス信号の変化を検出した信号である検出信号を発生する、検出信号発生ステップと、前記検出信号にもとづいて、前記複数のブロックのうち、外部アクセスすべきブロック以外のブロックに対してリフレッシュをする、リフレッシュステップと、を備え、前記リフレッシュステップは、前記複数のブロックの各々に対応して設けられた複数のリフレッシュ要求信号発生回路が、前記検出信号にもとづいて、前記複数のブロックの各々に対してリフレッシュ要求信号を発生するステップと、前記複数のブロックの各々に対応して設けられた複数のブロックコントロールのうち、前記外部アクセスすべきブロック以外のブロックに対応しているブロックコントロールが、前記リフレッシュ要求信号にもとづいて、リフレッシュ実施信号を発生するステップと、を備え、前記外部アクセスステップは、前記複数のブロックコントロールのうち、前記外部アクセスすべきブロックに対応しているブロックコントロールが、前記外部アクセスすべきブロック対して外部アクセス実施信号を発生するステップを備える、半導体装置のリフレッシュ方法。

IPC (2件)：

G11C 11/403 , G11C 11/406

FI (2件)：

G11C 11/34 371 J , G11C 11/34 363 K

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-267654 出願人：三菱電機株式会社
特開昭62-012990
記憶装置及びDRAMの制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-333652 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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