特許

J-GLOBAL ID：201103092209444890

反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法

発明者： 加茂 隆 ,  須賀 治
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (20件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-172367
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029334
出願日： 2009年07月23日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：

【課題】ターゲット寸法がより微細な寸法領域に突入しても、転写パターンの像コントラストの低下を抑制できる反射型露光用マスクを提供する。【解決手段】露光光に対して高反射領域となる多層反射膜2と、前記露光光を吸収するとともに、低反射領域となる吸収体パターン4Pとを具備し、前記多層反射膜2からの前記露光光の反射光と、前記吸収体パターン4Pからの前記露光光の反射光との位相差が180度±10度以内となる反射型露光用マスクであって、前記吸収体パターン4Pは、長手方向が互いに90度異なる第1および第2のライン状パターンを含み、かつ、前記第1および第2のライン状パターンの長手方向の一方と、前記主面の上から見た場合の前記主面に対する前記露光光の入射方向とが一致する時に、前記ウェハ上に形成される前記第1および第2のライン状パターンの光学像のコントラスト値がともに0.6以上となることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

露光光が照射される主面と、 前記主面内に設けられ、前記露光光に対して高反射領域となる多層反射膜と、 前記多層反射膜上に設けられ、前記露光光を吸収するとともに、前記露光光に対して低反射領域となる吸収体パターンとを具備し、 前記多層反射膜からの前記露光光の反射光と、前記吸収体パターンからの前記露光光の反射光との位相差が180度±10度以内となる反射型露光用マスクであって、 前記吸収体パターンは、長手方向が互いに90度異なる第1および第2のライン状パターンを含み、かつ、前記第1および第2のライン状パターンの長手方向の一方と、前記主面の上から見た場合の前記主面に対する前記露光光の入射方向とが一致する時に、前記ウェハ上に形成される前記第1および第2のライン状パターンの光学像のコントラスト値がともに0.6以上となることを特徴とする反射型露光用マスク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2件)：

H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A

Fターム (11件)：

2H095BA10 ,  2H095BB02 ,  2H095BC05 ,  2H095BC09 ,  2H095BC24 ,  5F046BA05 ,  5F046GA03 ,  5F046GD01 ,  5F046GD02 ,  5F046GD10 ,  5F046GD20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 極紫外線マスクの漏れ吸収体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-504461   出願人：インテル・コーポレーション
• 極短紫外光用マスクパターンの補正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-050893   出願人：ソニー株式会社
• 反射型マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-317695   出願人：株式会社東芝, 株式会社ルネサステクノロジ