特許
J-GLOBAL ID：200903024595732249

反射型マスク

発明者：
加茂 隆

加茂 隆 について

, 
須賀 治

須賀 治 について

, 
田中 稔彦

田中 稔彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について

, 
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (22件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-317695
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141223
出願日： 2007年12月07日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】 隣り合ったショットの重なりの部分からの露光光の漏れを抑制できるとともに、露光光のシャドーイングの影響を軽減できる反射型マスクを提供すること。【解決手段】 反射型マスクは、露光光40が照射される主面を含む反射型マスクであって、前記主面内に設けられたパターン領域10であって、露光光40を反射する多層反射膜2と、多層反射膜2上に設けられ、露光光40を吸収し、ウェハ上に形成するパターンに対応したパターンを有する第1の吸収体パターン4,5とを含むパターン領域10と、前記主面内に設けられた遮光領域11であって、前記主面に露光光40を照射して前記ウェハ上の所定の領域にパターンを転写するときに、前記所定の領域以外の前記ウェハの領域に露光光40が照射されることを防ぐために、露光光40に対する反射率が第1の吸収体パターン4,5よりも低い第2の吸収体パターン4-6が設けられた遮光領域11とを備える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
露光光が照射される主面を含む反射型マスクであって、 前記主面内に設けられたパターン領域であって、前記露光光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に設けられ、前記露光光を吸収し、ウェハ上に形成するパターンに対応したパターンを有する第1の吸収体パターンを含む前記パターン領域と、 前記主面内に設けられた遮光領域であって、前記主面に前記露光光を照射して前記ウェハ上の所定の領域に前記第1の吸収体パターンを転写するときに、前記所定の領域以外の前記ウェハの領域に前記露光光が照射されることを防ぐために、前記露光光に対する反射率が前記第1の吸収体パターンよりも低く、かつ、前記第1の吸収体パターンとは異なる位置に設けられた第2の吸収体パターンを含む前記遮光領域と を具備してなることを特徴とする反射型マスク。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  G03F 1/16
FI (3件)：
H01L21/30 531M ,  G03F7/20 521 ,  G03F1/16 A
Fターム (6件)：
2H095BA10 ,  2H095BC11 ,  2H095BC13 ,  5F046GA03 ,  5F046GD01 ,  5F046GD10
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 反射型マスク
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182768   出願人：キヤノン株式会社
審査官引用 (5件)
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