特許
J-GLOBAL ID：201103092905160414
セラミック配線基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257776
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068937
特許番号：特許第4587617号
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ガラスとセラミックフィラーとから構成される低温焼成セラミックスからなる絶縁基板の少なくとも表面に該絶縁基板と同時焼成して形成され、且つ低抵抗金属を主体とするメタライズ層を被着形成してなるセラミック配線基板において、前記メタライズ層が、金属粒子と、フォルステライト、Al2O3およびMgOから選ばれる1種の金属酸化物粒子と、ガラスとを含み、前記メタライズ層の前記絶縁基板との界面から10μm以内における前記金属酸化物粒子の最大径の平均値が3μm以下であるとともに、前記絶縁基板に含まれる前記ガラスと前記メタライズ層中の前記ガラスとが同じガラスであることを特徴とするセラミック配線基板。
IPC (2件)：
H01L 23/15 ( 200 6.01)
, H05K 1/09 ( 200 6.01)
H01L 23/14 C
, H05K 1/09 Z
