太陽電池素子の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392773
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197932
特許番号：特許第3838911号
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン基板の一主面側にシート抵抗が10〜40Ω/□となる高濃度拡散領域を形成する工程と、この高濃度拡散領域の電極下部に当たる部分をマスクで保護する工程と、このマスクで保護された領域以外の高濃度拡散領域をドライエッチング法で微細な突起を形成しつつ除去する工程と、シリコン基板の一主面側で前記微細な突起が形成された領域にシート抵抗が60〜300Ω/□となる低濃度拡散領域を形成する工程と、前記マスクが除去された前記高濃度拡散領域の上に前記電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする太陽電池素子の製造方法。

IPC (1件)：