特許
J-GLOBAL ID：201103092965675421

半導体基材の製造方法

発明者：
半那 純一

半那 純一 について

, 
清水 耕作

清水 耕作 について


出願人/特許権者：
半那 純一

半那 純一 について

, 
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 吉村 俊一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277303
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068422
特許番号：特許第4321925号
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 Siに対して200〜500°Cの範囲において化学的エッチング性を有するエッチング性ガスと、シラン系原料ガスと、該シラン系原料ガスを希釈するキャリアガスの存在下、前記シラン系原料ガスを加熱された基体により熱的に活性化させることにより結晶質半導体材料を形成する方法であって、 前記エッチング性ガスが弗素、塩素、臭素等のハロゲン、ClF3、ClF、BrF3、BrF等のハロゲン弗化物、NF3、またはその混合物から選ばれたものであり、 前記エッチング性ガスと前記シラン系原料ガスの流量比(エッチング性ガス/シラン系原料ガス)が0.01〜0.1であり、 前記加熱された基体の温度が300°Cを超え500°C以下の範囲であり、 前記結晶質半導体材料が多結晶Si膜であることを特徴とする半導体基材の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  G02F 1/136 ( 200 6.01) ,  H01L 31/04 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  G02F 1/136 ,  H01L 31/04 H
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM