特許
J-GLOBAL ID：201103093044535868

電力変換装置

発明者：
森田 竜夫

森田 竜夫 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-152180
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009504
出願日： 2009年06月26日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：
【課題】電流コラプスを十分に緩和し、GaNトランジスタが本来有している低いオン抵抗を利用した高効率の電力変換装置を実現できるようにする。【解決手段】電力変換装置は、電源が接続される入力端Vin1と、電源から供給された電力をスイッチングする第1のスイッチング素子10とを備えている。第1のスイッチング素子10は、基板11の上に形成された窒化物半導体からなる半導体層積層体13と、半導体層積層体13の上に形成されたゲート電極18、第1のオーミック電極16及び第2のオーミック電極17と、基板11の裏面に形成された裏面電極20とを有している。裏面電極20には第2のオーミック電極17との間の電位差が小さくなるように入力端Vin1に接続された電源から電位が供給される。第1のスイッチング素子10がオン状態の場合には、裏面電極20に正電圧のバイアスが印加される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電源が接続される入力端子と、 前記電源により供給された電力をスイッチングする第1のスイッチング素子と、 前記第1のスイッチング素子によりスイッチングされた電力を出力する出力端子とを備え、 前記第1のスイッチング素子は、 基板の上に形成された窒化物半導体からなる半導体層積層体と、 前記半導体層積層体の上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極の両側方にそれぞれ形成された第1のオーミック電極及び第2のオーミック電極と、 前記基板における前記半導体層積層体と反対側の面に形成された裏面電極とを有し、 前記第1のスイッチング素子がオフ状態の場合には、前記第2のオーミック電極と前記裏面電極との間の電位差は、前記第2のオーミック電極と前記第1のオーミック電極との間の電位差よりも小さく、 前記第1のスイッチング素子がオン状態の場合には、前記裏面電極には正電圧のバイアスが印加され、 前記裏面電極の電位は、前記電源により供給されることを特徴とする電力変換装置。
IPC (8件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 27/095 ,  H02M 7/48 ,  H02M 3/155
FI (5件)：
H01L27/04 G ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 E ,  H02M7/48 Z ,  H02M3/155 F
Fターム (47件)：
5F038AZ04 ,  5F038BB04 ,  5F038BE01 ,  5F038BE07 ,  5F038BG03 ,  5F038CA07 ,  5F038DF01 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GA01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GD05 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS09 ,  5F102GT07 ,  5F102GV03 ,  5F102GV05 ,  5H007AA02 ,  5H007BB06 ,  5H007CA02 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007HA02 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA07 ,  5H730AA14 ,  5H730AS13 ,  5H730BB02 ,  5H730BB06 ,  5H730BB14 ,  5H730BB61 ,  5H730FD01 ,  5H730FD11 ,  5H730ZZ04 ,  5H730ZZ12
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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