特許
J-GLOBAL ID：200903032910722357

半導体装置

発明者：
岩上 信一

岩上 信一 について

, 
町田 修

町田 修 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-020218
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217049
出願日： 2004年01月28日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】GaN系半導体が使用されている半導体装置の高耐圧化が困難であった。【解決手段】 半導体装置はシリコン基板1とバッファ領域2と半導体素子を形成するための主半導体領域3とを有する。主半導体領域3の主面にソース電極4、ドレイン電極5及びゲート電極6が形成されている。シリコン基板1の裏面に裏面電極7が形成されている。シリコン基板1はp型半導体領域1Pとn型半導体領域1nとを有する。シリコン基板1のpn接合によってドレイン電極5と裏面電極7との間の耐圧が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン又はシリコン化合物から成る基板と、 前記基板の一方の主面上に配置された少なくとも1つの窒化物半導体層を含んでいる主半導体領域と、 前記主半導体領域の表面上に配置された少なくとも第1及び第2の主電極と を備えた半導体装置であって、 前記基板がpn接合を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 B
Fターム (15件)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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