特許
J-GLOBAL ID：201103093231539427

積層型半導体集積装置の製造方法

発明者：
黒田 泰嘉

黒田 泰嘉 について

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近藤 和紀

近藤 和紀 について

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加藤 英人

加藤 英人 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-275190
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119427
出願日： 2009年12月03日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に成立させる、積層型半導体集積装置の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、表面にデバイスが形成された第1の半導体ウエハ1を裏面研削する工程と、前記第1の半導体ウエハ1を、表面にデバイスが形成された第2の半導体ウエハに電気的に接続して積層する工程とを含む積層型半導体集積装置の製造方法であって、前記第1の半導体ウエハを裏面研削する際に、前記第1の半導体ウエハのデバイスが形成された表面と加工用支持基板3とをシリコーン粘着剤2を用いて貼り合せた後、前記第1の半導体ウエハ1の裏面研削をする積層型半導体集積装置の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、表面にデバイスが形成された第1の半導体ウエハを裏面研削する工程と、前記第1の半導体ウエハを、表面にデバイスが形成された第2の半導体ウエハに電気的に接続して積層する工程とを含む積層型半導体集積装置の製造方法であって、前記第1の半導体ウエハを裏面研削する際に、前記第1の半導体ウエハのデバイスが形成された表面と加工用支持基板とをシリコーン粘着剤を用いて貼り合せた後、前記第1の半導体ウエハの裏面研削をすることを特徴とする積層型半導体集積装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/304 ,  C09J 183/04 ,  C09J 7/02 ,  C09J 183/07 ,  C09J 183/06 ,  C09J 183/05 ,  C09J 11/00 ,  C09J 11/04
FI (9件)：
H01L21/304 622J ,  H01L21/304 631 ,  C09J183/04 ,  C09J7/02 Z ,  C09J183/07 ,  C09J183/06 ,  C09J183/05 ,  C09J11/00 ,  C09J11/04
Fターム (32件)：
4J004AA11 ,  4J004AB01 ,  4J004AB05 ,  4J004CA06 ,  4J004CB03 ,  4J004CC03 ,  4J004EA05 ,  4J004FA04 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040EK042 ,  4J040EK051 ,  4J040EK052 ,  4J040EK091 ,  4J040EK092 ,  4J040HA066 ,  4J040HA186 ,  4J040HB09 ,  4J040HD41 ,  4J040JB02 ,  4J040JB09 ,  4J040KA14 ,  4J040KA16 ,  4J040KA17 ,  4J040LA06 ,  4J040LA08 ,  4J040MA04 ,  4J040NA20 ,  4J040PA20 ,  4J040PA23 ,  4J040PA30 ,  4J040PA42
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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