素子の分離方法及び素子の転写方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-002732
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203886
出願日： 2002年01月09日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】基板上に形成された素子を精度良く且つ確実に素子分離し、さらに転写することが可能な素子の分離方法及び転写方法を提供する。また、素子の高密度形成を可能とすることにより半導体装置を安価に提供可能とする素子の分離方法及び転写方法を提供する。【解決手段】素子形成基板上に形成された複数の素子を分離する素子の分離方法であって、上記素子形成基板の上記素子が形成された側と反対側の主面を研削して当該素子形成基板を薄厚化する研削工程と、上記素子形成基板の上記複数の素子間を上記研削が施された研削面側からエッチングすることにより素子を分離する分離工程とを備える。

請求項（抜粋）：

素子形成基板上に形成された複数の素子を分離する素子の分離方法であって、上記素子形成基板の上記素子が形成された側と反対側の主面を研削して当該素子形成基板を薄厚化する研削工程と、上記素子形成基板の上記複数の素子間を上記研削が施された研削面側からエッチングすることにより素子を分離する分離工程とを備えることを特徴とする素子の分離方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 , H01L 21/02 , H01L 21/304 631 , H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/02 B , H01L 21/304 631 , H01L 21/78 S , H01L 21/302 A

Fターム (9件)：

5F004DA04 , 5F004DA05 , 5F004DA13 , 5F004DB01 , 5F004DB19 , 5F004DB20 , 5F004EA10 , 5F004EB04 , 5F004FA08

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-356288 出願人：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-155769 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-062267 出願人：関西日本電気株式会社

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審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-155769 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-062267 出願人：関西日本電気株式会社
特開平3-166750

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