特許
J-GLOBAL ID：201103093638979642

電界効果型トランジスタ

発明者：
野本 和正

野本 和正 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 孝久 ,  吉井 正明 ,  森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-226405
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035411
出願日： 2010年10月06日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：
【課題】チャネル領域を構成する有機半導体材料層と良好なオーミック・コンタクトを形成することができるソース/ドレイン電極を備えた電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタは、ゲート電極12と、ゲート絶縁層13と、ソース/ドレイン電極21と、チャネル領域15を構成する有機半導体材料層14とを備え、ソース/ドレイン電極21は、金属から成る導体部22、及び、導体部22を少なくとも部分的に被覆し、不純物がドーピングされた有機導電材料層23から成り、有機導電材料層23を介して、チャネル領域15と導体部22との間の電気的接続が形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)支持体上に形成されたソース/ドレイン電極、 (B)ソース/ドレイン電極とソース/ドレイン電極との間に位置する支持体の部分の上及びソース/ドレイン電極の上に形成された有機半導体材料層、 (C)有機半導体材料層上に形成されたゲート絶縁層、並びに、 (D)ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極、 から成る電界効果型トランジスタであって、 ソース/ドレイン電極は、 (a)金属から成る導体部、及び、 (b)ドーピング材料がドーピングされた有機導電材料層、 から成り、 有機導電材料層は、 導体部の底面に形成されており、又は、 もう一方のソース/ドレイン電極を構成する導体部の側面と対向する導体部の側面である対向側面に形成されており、又は、 導体部の底面及び対向側面に形成されており、又は、 導体部の底面及び頂面に形成されており、又は、 導体部の頂面及び対向側面に形成されており、又は、 導体部の頂面、対向側面及び底面に形成されている電界効果型トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28
FI (8件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B
Fターム (70件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD33 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD38 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK27 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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