光集積回路およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-343542
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151668
特許番号：特許第4496636号
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板(1)上に、光信号を電気信号に変換する受光デバイス(10)と、前記受光デバイス(10)で変換した電気信号を増幅する増幅用デバイス(30)を同一の半導体膜構造にて配置した光集積回路であって、前記受光デバイス(10)および増幅用デバイス(30)は、基板(1)上に形成した電子供給層(13,33)と、この電子供給層(13,33)から供給された電子が走行するチャネル層(12,32)とを具備する高電子移動度トランジスタからなるとともに、受光用高電子移動度トランジスタ(10)のゲートリセス構造が2段リセスであり、増幅用高電子移動度トランジスタ(30)のゲートリセス構造が1段リセスであることを特徴とする光集積回路。

IPC (2件)：