特許
J-GLOBAL ID：201103094452438176

半導体ウエハの処理装置、温度測定用プローブ及びその温度測定方法

発明者：
ジョエル ペネロン

ジョエル ペネロン について

, 
アンドレ ギル カードソ

アンドレ ギル カードソ について


出願人/特許権者：
アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド について


代理人 (1件)： 萼 経夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358754
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200815
特許番号：特許第4671142号
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体ウエハを処理するための装置であって、 処理室と、 周囲処理圧力にある前記処理室に気体を供給するための手段と、 平坦な円板形状のウエハ接触面を有し、該接触面の表面全体がウエハの一部分の領域に接触するプローブヘッドと、このプローブヘッドを支持する支持体とからなる温度プローブとを含み、 処理すべき半導体ウエハを、前記支持体と他の分離した支持手段とによって支持し、前記プローブヘッドの前記ウエハ接触面に、前記プローブヘッド内の流体搬送通路に連通する開口を有しており、 前記流体搬送通路は、前記処理室の外側にある手段に連結可能であり、前記周囲処理圧力に接している前記ウエハの一部分の領域において、前記ウエハ接触面上方の圧力を上昇させるために気体を前記開口に供給し、これにより、前記ウエハが前記ウエハ接触面に固定されていないことを特徴とする半導体ウエハ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  G01K 1/08 ( 200 6.01) ,  G01K 7/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/302 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 21/66 T ,  G01K 1/08 R ,  G01K 7/00 341 P ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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