半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108692
公開番号（公開出願番号）：特開2000-298985
特許番号：特許第3365337号
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のワード線と複数の一対のデジット線とからなるマトリックスの各交点に配置されたメモリセルと、読み出し、書き込み以外の時に前記デジット線を一定の電位にプリチャージするためのプリチャージ回路と、そのプリチャージ回路にプリチャージ電圧を供給する定電圧発生回路と、デジット線選択信号によって選択された前記デジット線の各々を一対のデータバス線に接続するデジット線選択回路とを有し、前記デジット線選択回路は、一対のデジット線にそれぞれ接続された2つのスイッチ用トランジスタだけからなる半導体記憶装置であって、前記定電圧発生回路は、設定すべきプリチャージ電圧値を、電源電圧値の増減に応じて増減する前記メモリセルのデータ保持リミット電圧値と前記デジット線選択回路の動作リミット電圧値との範囲内になるように、所定の電圧値以下の低電圧帯の電源電圧の場合には、プリチャージ電圧値を電源電圧値に比例して設定し、所定の電圧値以上の高電圧帯の電源電圧の場合には、プリチャージ電圧値を電源電圧値から所定の電圧値を引いた電圧値に設定することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (1件)：

G11C 11/41

FI (1件)：

G11C 11/34 M

引用特許：

出願人引用 (3件)

連想メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016969 出願人：川崎製鉄株式会社
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-280546 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-229123 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

連想メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016969 出願人：川崎製鉄株式会社
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-280546 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-229123 出願人：日本電気株式会社

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