特許

J-GLOBAL ID：201103095102406570

シリコン薄膜パターンの形成方法

発明者： 古沢 昌宏 ,  宮下 悟 ,  湯田坂 一夫 ,  下田 達也 ,  横山 泰明 ,  松木 安生 ,  竹内 安正
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社 ,  JSR株式会社
代理人 (5件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司 ,  上柳 雅誉 ,  須澤 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-402809
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203794
特許番号：特許第3745959号
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上の一部分または複数部分に、珪素と水素とで構成される環状シランまたはその誘導体からなる珪素化合物を含む液体を配置し、該液体から珪素化合物を気化させて当該気体を前記基板上の他の部分に供給し、化学気相成長法でシリコン薄膜を形成することを特徴とするシリコン薄膜パターンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/24 ( 200 6.01) ,  C23C 16/448 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/448

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-174268   出願人：シャープ株式会社
• シリコン膜形成装置及びシリコン膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-028850   出願人：シャープ株式会社
• インク・ジェット機構を用いた薄膜形成装置およびインク・ジェット機構を用いた薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-155127   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, 株式会社東芝