特許
J-GLOBAL ID：201103095237886717

基板処理装置および基板の処理方法

発明者：
柳川 秀宏

柳川 秀宏 について

, 
井田 かおり

井田 かおり について

, 
立野 秀人

立野 秀人 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (2件)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-191228
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007802
特許番号：特許第4278128号
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板を基板支持部材に載置した状態で処理する反応室と、 前記反応室に連接される不活性ガス雰囲気の気密室と、 前記反応室で基板を処理中に、前記気密室内に導入する前記不活性ガスの流量を、第一のガス流量とするか、または前記気密室内に導入する前記不活性ガスの導入を止めるかし、前記反応室で処理された基板を前記反応室から前記気密室へアンロードする所定時間前に、前記気密室内に導入する不活性ガスの流量を、第二のガス流量に増やし、前記気密室の酸素濃度を所定の酸素濃度以下にし、前記気密室の酸素濃度が該所定の酸素濃度以下になったら、前記不活性ガスの流量を前記第二のガス流量から、前記第一のガス流量より大きい第三のガス流量に減らし、前記気密室の酸素濃度を前記所定の酸素濃度以下に保つことで前記アンロードすることが可能となるように制御する不活性ガス流量可変手段とを有することを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/677 ( 200 6.01) ,  B65G 49/00 ( 200 6.01) ,  C23C 16/44 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/68 A ,  B65G 49/00 A ,  C23C 16/44 F ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (5件)
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