特許
J-GLOBAL ID：201103095444033570
半導体レーザ装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231042
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057462
特許番号：特許第3862894号
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 結晶基板と、
前記結晶基板上に設けられ第一の波長のレーザ光を放出する第一のレーザ素子部と、
前記結晶基板上に設けられ第一の波長とは異なる第二波長のレーザ光を放出する第二のレーザ素子部とを有する半導体レーザ装置において、
前記第一のレーザ素子部は、第一導電型のクラッド層と、この第一導電型のクラッド層上に接して設けられた、膜厚が0.01μm以上、0.05μm以下であるバルク構造の活性層と、前記活性層上に接して設けられたレーザの共振方向に沿ったリッジ状ストライプ形状の第二導電型のクラッド層と、この第二導電型のクラッド層の側面部分を覆うよう活性層上に形成された電流阻止層とを有し、
前記第二のレーザ素子部は、第一導電型のクラッド層と、この第一導電型のクラッド層上に設けられ、量子井戸層とバリア層との積層構造からなる活性層と、レーザの共振方向に沿ったリッジ状ストライプ形状の第二導電型のクラッド層と、この第二導電型のクラッド層の側面部分を覆うよう活性層上に形成された電流阻止層とを有し、
前記第一のレーザ素子部および前記第二のレーザ素子部において、前記第二導電型のクラッド層は共に構成する元素が共通であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
審査官引用 (7件)
-
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-284353
出願人：日本ビクター株式会社
-
特開平1-204487
-
特開平1-204487
全件表示
前のページに戻る
