半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115060
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306387
特許番号：特許第3327330号
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のメモリセルと該複数のメモリセルに書き込まれたデータを読み出すためのセンスアンプと、前記複数のメモリセルに書き込まれたデータが読み出されるビット線と、該ビット線上に読み出されたデータが伝達されるデータ線と、該データ線に伝達されたデータを増幅して出力するデータアンプとを有し、前記ビット線を複数の領域に分割して多値データを記憶する半導体記憶装置において、前記センスアンプは、前記ビット線と前記データ線とを接続するための[(読み出しビット数)-1]個のキャパシタを有し、前記データ線に伝達されたデータと前記キャパシタの容量とに基づいて前記ビット線の電位を変動させることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (1件)：