特許

J-GLOBAL ID：201103096459150871

窒化シリコン膜の形成方法

発明者： 細田 恵三 ,  重松 伸明 ,  村木 雄介 ,  佐藤 睦
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-263718
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085426
特許番号：特許第4209563号
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコン基板表面に窒化シリコン膜を形成する方法において、 四塩化シリコンガスと希釈用窒素ガスが添加されたアンモニアガスとを加熱容器内に同時に吐出する工程を備え、 前記加熱容器内において前記アンモニアガスを所定濃度とし、前記四塩化シリコンガスの分圧は前記アンモニアガスの分圧に対して0.5以上とする ことを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/34 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

出願人引用 (3件)

• シリコンナイトライド膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-282014   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-282013   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-167092   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-167092   出願人：株式会社東芝
• シリコンナイトライド膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-282014   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-282013   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社