特許

J-GLOBAL ID：200903017504431407

シリコンナイトライド膜の成膜方法

発明者： 綱島 祥隆 ,  齋田 繁彦 ,  今井 正幸 ,  池川 寛晃 ,  米川 司 ,  山本 博之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-282014
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100812
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 被処理体の表面に、SiCl4 とNH3 を原料ガスとして熱CVD法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。

請求項（抜粋）：

被処理体の表面に、SiCl4 とNH3 を原料ガスとして熱CVD法によりシリコンナイトライド膜を成膜するようにしたことを特徴とするシリコンナイトライド膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31 B

Fターム (41件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045DC63 ,  5F045DP19 ,  5F045EC02 ,  5F045EK06 ,  5F045HA06 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC08 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-064721   出願人：株式会社東芝
• 窒化シリコン膜の形成方法およびその窒化シリコン膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221141   出願人：日本真空技術株式会社
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-189395   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-167092   出願人：株式会社東芝